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专利号	2018103186354	专利名称	基于光电器件的静态随机存取存储单元及其制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	H10B 10/00 (2023.01),H01L 29/423 (2006.01),H01L 21/70 (2006.01)
申请人	南京邮电大学	申请地址	江苏省南京市栖霞区文苑路9号
发明人	陆颢瓒,高秦昌,戴瑞萍,王德波	申请日期	2018-04-11
下证状态	未知	更新时间	2026-09-23 17:33:30
专利摘要	本发明公开了基于光电器件的静态随机存取存储单元及其制备方法，该静态随机存取存储单元的结构主要由发光二极管、光敏二极管、电源、光纤传输线组成；其中，PD1~PD4为光敏二极管，LD1、LD2为激光二极管。利用读/写1/写2三条IO光纤进行数据的读写，并控制存储单元的状态。本发明利用二极管进行存储功能，相比于传统的静态随机存取存储，其二极管工艺也具备高集成度的优点，利用光纤作为信号连接线，具有激光读写的高速度、高抗干扰、抗噪声等优点，同时可以兼容新兴的光处理器。

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