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一种基于抛物线方程升压的大孔间距阳极氧化铝膜及其制备方法和应用

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专利号 2021115012001 专利名称 一种基于抛物线方程升压的大孔间距阳极氧化铝膜及其制备方法和应用
专利类型 发明专利 国际分类 C25D11/04(2006.01),C25D11/10(2006.01),C25D11/16(2006.01),C25D11/24(2006.01),C25F3/20(2006.01),C23F1/36(2006.01)
申请人 广东工业大学 申请地址 510062 广东省广州市越秀区东风东路729号
发明人 陈安伏 申请日期 2021-12-09
下证状态 已下证 更新时间 2026-09-23 17:33:30
专利摘要 本发明属于材料表面制备技术领域,公开了一种基于抛物线方程升压的大孔间距阳极氧化铝膜及其制备方法和应用。该制备方法按照以下步骤:超声清洗高纯铝箔表面,化学刻蚀去除铝表面致密氧化层;对干净铝箔进行电化学抛光处理,使其表面光滑平整;以所得抛光铝箔为阳极,石墨片为阴极,在电解液中进行阳极氧化,过程中采用基于抛物线方程进行升压,得到带有铝基底的大孔间距阳极氧化铝膜;所得带有铝基底的大孔间距阳极氧化铝膜,置于过饱和氯化铜溶液中刻蚀,去除铝基体,得到大孔间距阳极氧化铝膜;或者置于铬酸与磷酸混合液中刻蚀,去除阳极氧化铝膜,得到带有大孔间距凹坑的铝基体,然后进行二次阳极氧化得到规整有序的大孔间距的阳极氧化铝膜。

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卖方 企业营业执照
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