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一种补偿负电容晶体管内部栅电势损失的方法
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发明专利
专利类型 -
已下证
专利状态 -
2021104176760
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2021104176760 | 专利名称 | 一种补偿负电容晶体管内部栅电势损失的方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H01L21/336(2006.01),H01L29/78(2006.01),H01L29/08(2006.01) |
| 申请人 | 申请地址 | 310018 浙江省杭州市钱塘新区白杨街道2号大街 | |
| 发明人 | 申请日期 | 2021-04-19 | |
| 下证状态 | 已下证 | 更新时间 | 2026-09-23 17:33:30 |
| 专利摘要 | 本发明公开了一种补偿负电容晶体管在高漏极电压下靠近漏极侧内栅电势损失的方法，本发明在现有的N型负电容晶体管制作过程中，增加一道P型离子的沟道注入步骤。具体实施方法为：在完成N型负电容晶体管的金属栅极TiN材料积淀工艺之后，在靠近漏端（drain）的沟道区域局部额外注入一定浓度的P型离子，目的是提高漏极与沟道交界处局部区域的P型离子的掺杂浓度，并且保持之后的现有工艺技术和步骤都不变。其特点是这种方法与现有nNCFET工艺具有很好的兼容性，制造过程没有明显的增加工艺难度与复杂度。本发明通过可以缓解负电容晶体管输出电流随着漏极电压升高而下降导致的负微分电阻现象，保持了nNCFET优良的性能。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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