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专利号	2019103808889	专利名称	外延片及其制造方法以及电化学传感器
专利类型	发明专利	国际分类	G01N27/30(20060101)
申请人	华南师范大学	申请地址	广东省广州市番禺区外环西路378号华南师范大学华南先进光电子研究院
发明人	理查德·内策尔	申请日期	2019-05-08
下证状态	未知	更新时间	2026-10-25 17:30:00
专利摘要	本申请提供了一种外延片及其制造方法以及电化学传感器，其中外延片包括：衬底；InGaN层片，形成于所述衬底的一侧表面，其In含量在20％和60％之间，以确保从带负电的表面态到带正电的表面态的转变发生在组成范围内；InN层片，形成于所述InGaN层片的背朝所述衬底的一侧表面上，以用作所述InGaN层片的表面电荷的稳定层。In含量在20％和60％之间的InGaN层片允许产生独立于待测溶液浓度的电化学响应；另外，高密度本征带正电表面态的InN层片进一步提高了本实施例参比电极的电化学稳定性，InGaN层片和InN层片的结合进一步使得应用本申请外延片的参比电极能够具有稳定电化学响应。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
买方	企业营业执照企业组织机构代码证	身份证
卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件