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专利号	2022103862404	专利名称	一种铜锡硫（CTS）忆阻器及其制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	H01L51/40(2006.01),H01L51/30(2006.01),H01L51/05(2006.01)
申请人	西北师范大学	申请地址	730070 甘肃省兰州市安宁区安宁东路967号
发明人	李燕	申请日期	2022-04-13
下证状态	未知	更新时间	2026-09-27 17:48:02
专利摘要	本发明提供一种铜锡硫（CTS）忆阻器及其制备方法，由上至下包括：Al上电极，CTS‑PMMA阻变层，FTO下电极。通过传统水热法制备得到了CTS纳米颗粒，首次将CTS与PMMA复合并应用到忆阻器领域。实验结果发现，通过将CTS与PMMA混合，得到了阻变性能好，稳定性强的忆阻器件，而且控制阻变薄膜的厚度可以优化阻变性能。该忆阻器件具有结构简单、易制备、成本低、重复性好的优点，可为研发基于硫属化合物的忆阻器及其应用提供新思路。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
买方	企业营业执照企业组织机构代码证	身份证
卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件