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一种吡啶改性石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法

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专利号 2022112427924 专利名称 一种吡啶改性石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 C25B 11/095 (2021.01),C25B 11/055 (2021.01),C25B 1/55 (2021.01),C25B 1/04 (2021.01)
申请人 三峡大学 申请地址 湖北省宜昌市西陵区大学路8号
发明人 吕晓伟,张顺,陈德国,孙盼盼,孙小华 申请日期 2022-10-11
下证状态 未知 更新时间 2026-10-27 17:27:33
专利摘要 本发明属于光电化学和薄膜制造领域,涉及吡啶溶剂热改性石墨相氮化碳薄膜的制备方法。吡啶溶剂热改性石墨相氮化碳薄膜电极的制备包括称量一定量的二氰二胺和氰尿酸,通过化学气相沉积法在导电玻璃上制备石墨相氮化碳薄膜;再将石墨相氮化碳薄膜浸入吡啶溶液中,利用溶剂热反应制得吡啶改性石墨相氮化碳薄膜电极。本发明制备的吡啶改性石墨相氮化碳薄膜电极一方面实现了结晶性调控且电化学活性面积增大;另一方面经过吡啶溶剂热改性后光电流密度相较于原始石墨相氮化碳有了明显提高。

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