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一种硼或磷掺杂石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法

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专利号 202111183236X 专利名称 一种硼或磷掺杂石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法
专利类型 发明专利 国际分类
申请人 三峡大学 申请地址 湖北省宜昌市西陵区大学路8号
发明人 吕晓伟,汪丽平,张豆豆,黄妞,孙盼盼,孙小华 申请日期 2021-10-11
下证状态 已下证 更新时间 2026-10-27 17:27:33
专利摘要 本发明提供了一种硼或磷掺杂石墨相氮化碳薄膜电极制备方法:将二氰二胺与三聚氰酸混合均匀作为前驱体,然后将其均匀平铺在耐热载体底部;将基底直接平放在前驱体之上并用铝箔包裹,然后将耐热载体放在管式炉中;在保护气氛下,以一定的升温速率加热一段时间后冷却至室温,即可得到石墨相氮化碳薄膜电极。再配制浓度为一定浓度的硼氢化钠溶液/次磷酸钠溶液,并滴涂在上述石墨相氮化碳薄膜电极上,经干燥,并于加热装置中二次加热处理后,即可得到硼/磷掺杂石墨相氮化碳薄膜。该方法制备的掺杂型石墨相氮化碳薄膜吸收增强,且滴涂有硼氢化钠溶液和次磷酸钠溶液的石墨相氮化碳薄膜电极的光电催化性能相较于原始石墨相氮化碳薄膜电极明显提升。

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