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p-n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料及其制备方法

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  • 2018110309984

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专利号 2018110309984 专利名称 p-n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料及其制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 H01L35/16,H01L35/24,H01L35/34
申请人 河南工程学院 申请地址 河南省郑州市新郑市龙湖镇祥和路1号
发明人 刘少辉 申请日期 2018-09-05
下证状态 已下证 更新时间 2026-09-27 17:48:02
专利摘要 本发明提供了一种p‑n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料及其制备方法,采用水热法结合气相法制备p‑n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜,碲化铅层薄膜的厚度为20nm‑300nm,所述的聚吡咯薄膜的厚度20nm‑300nm。该方法制备的碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料具有良好的热电性能,可用于便携式的无线传感器供电,集成电路芯片的制冷,发光二极管和光探测器的制冷等领域,具有简单易行、成本低、方便快速等优点,可规模化生产。

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