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一种π-d共轭Ni-HITP MOF导电薄膜的制备方法及储能应用
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发明专利
专利类型 -
已下证
专利状态 -
2019104686200
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2019104686200 | 专利名称 | 一种π-d共轭Ni-HITP MOF导电薄膜的制备方法及储能应用 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H01G11/24,H01G11/30,H01G11/86 |
| 申请人 | 申请地址 | 江苏省南京市鼓楼区新模范马路66号 | |
| 发明人 | 申请日期 | 2019-05-31 | |
| 下证状态 | 已下证 | 更新时间 | 2026-09-27 17:48:02 |
| 专利摘要 | 本发明公开了一种π‑d共轭Ni‑HITPMOF柔性透明电极的制备方法及储能应用，本发明中直接选择ITO/PET柔性透明材料作为结合π‑d共轭Ni‑HITPMOF导电薄膜的基底，采用低成本、低能耗、工艺简单的气液界面法来制备Ni‑HITPMOF导电薄膜，通过L‑S法将薄膜转移到基底上制备出Ni‑HITP/ITO/PET柔性透明电极，整个制备过程的步骤简便，所需条件低，操作简单，耗时短；制备除的柔性透明电极的光学透光性良好且电化学储能性质优异。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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