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专利号	2023113088128	专利名称	一种基于微纳加工技术的高亮度LED芯片制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	H01L 33/00 (2010.01),H01L 33/06 (2010.01),H01L 33/22 (2010.01)
申请人	深圳市领耀东方科技股份有限公司	申请地址	广东省深圳市南山区西丽街道西丽社区打石一路深圳国际创新谷八栋A座1504
发明人	陈郁芬	申请日期	2023-10-11
下证状态	未知	更新时间	2026-10-27 17:27:33
专利摘要	本发明涉及高亮度LED芯片制备方法技术领域，具体的说，涉及一种基于微纳加工技术的高亮度LED芯片制备方法。先通过对InGaN基片进行微纳加工，使其经过电化学刻蚀，增加其发光面积，提高光的提取效率；随后以InGaN为衬底，在其表面采用射频磁溅射系统，制备出ZnO薄膜、ZnMgO薄膜和NiO薄膜，ZnO具有更高的激子束缚能和廉价的材料价格，在ZnO薄膜和NiO薄膜间的ZnMgO薄膜比ZnO具有更大的禁带宽度，可以起到载流子限域作用，提高LED芯片的亮度。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
买方	企业营业执照企业组织机构代码证	身份证
卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件