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专利号	2018101953050	专利名称	一种大面积金红石相SnO2薄膜的低温制备方法及其应用
专利类型	发明专利	国际分类	H01L51/42(2006.01),H01L51/48(2006.01)
申请人		申请地址	430062湖北省武汉市武昌区友谊大道368号
发明人		申请日期	2018-03-09
下证状态	已下证	更新时间	2026-09-27 17:48:02
专利摘要	本发明涉及一种大面积金红石相SnO2薄膜的低温制备方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用。本发明的大面积SnO2薄膜是将干净的FTO放入浓度为0.02M～0.7M的四氯化锡溶液中，用70℃水浴2h后，再在70～200℃条件下退火1h制得。本发明方法操作简单，成本低，副产品少，对环境污染小，且制得的SnO2薄膜均匀致密，结晶性、增透性、导电性均较好。将本发明制得的SnO2薄膜应用于SnO2平面钙钛矿太阳能电池中的电子传输层，可明显提升电池的短路电流，电池的光电转换效率可以达到10％以上，因此，本发明制得的大面积金红石相SnO2薄膜具有良好的应用前景，可有效应用于平面钙钛矿太阳能电池中。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
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