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专利号	2018101685235	专利名称	一种全无机钙钛矿阻变存储器及其制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	H01L45/00
申请人	湖北大学	申请地址	湖北省武汉市武昌区友谊大道368号
发明人	王浩;蔡恒梅;马国坤;宋泽浩;周海	申请日期	2018-02-28
下证状态	已下证	更新时间	2026-09-27 17:48:02
专利摘要	本发明公开了一种全无机钙钛矿阻变存储器及其制备方法。所述存储器结构从下至上依次为底电极、阻变层和顶电极。ITO作为底电极，CsPbBr3薄膜作为阻变层，用金属Pt、或Au、或W作为顶电极。制备步骤为将CsPbBr3粉末溶解在DMSO溶液中配制前驱液，用旋涂仪将前驱液旋涂在ITO底电极上，再滴加甲苯作反溶剂，使钙钛矿层快速结晶，并在100～150℃条件下退火10～30min，获得致密的CsPbBr3多晶薄膜。再在CsPbBr3薄膜表面沉积顶电极。该存储器的阻变层由全无机材料制得，制备工艺简单，成本低，通过改变加热温度和加热时间，器件表现出优异的阻变特性及空气热稳定性。

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