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一种基于应变硅技术的铁电场效应晶体管及其制备方法
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发明专利
专利类型 -
已下证
专利状态 -
2025100479828
专利号
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专利信息
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| 专利号 | 2025100479828 | 专利名称 | 一种基于应变硅技术的铁电场效应晶体管及其制备方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H10D 30/60 (2025.01),H10D 30/01 (2025.01),H01L 23/29 (2006.01),H01L 23/31 (2006.01) |
| 申请人 | 西安石油大学 | 申请地址 | 陕西省西安市电子二路东段18号 |
| 发明人 | 郝敏如,陈丹婷,邵敏,张艳,周旬 | 申请日期 | 2025-01-13 |
| 下证状态 | 已下证 | 更新时间 | 2026-09-27 17:48:02 |
| 专利摘要 | 本发明公开了一种基于应变硅技术的铁电场效应晶体管及其制备方法，该铁电场效应晶体管包括：第一掺杂类型的Si衬底；第二掺杂类型的漏区和源区，位于Si衬底的两端内，且其上表面均与Si衬底的上表面齐平；SiO<subgt;2</subgt;绝缘层，位于Si衬底上，且与漏区和源区接触；HZO铁电介质层，位于SiO<subgt;2</subgt;绝缘层上；栅电极，位于HZO铁电介质层上；源电极和漏电极，分别位于部分漏区和部分源区上；SiN层，位于剩余部分的漏区、剩余部分的源区、栅电极、源电极和漏电极上，以及SiO<subgt;2</subgt;绝缘层、HZO铁电介质层、栅电极、源电极和漏电极的侧壁上。本发明可以进一步提高FeFET铁电特性以及存储能力。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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