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兼容可控硅调光器的高功率因数无频闪线性控制方法及所用控制装置

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  • 2019102862833

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专利号 2019102862833 专利名称 兼容可控硅调光器的高功率因数无频闪线性控制方法及所用控制装置
专利类型 发明专利 国际分类 H05B45/30,H05B45/355,H05B45/395
申请人 杭州欧佩捷科技有限公司 申请地址 浙江省杭州市滨江区六和路368号一幢(北)二楼B2119室
发明人 翁大丰 申请日期 2019-04-10
下证状态 已下证 更新时间 2026-10-31 17:43:38
专利摘要 本发明公开了一种兼容可控硅调光器的高功率因数无频闪线性控制方法及所用控制装置,该控制装置包括功能模块M1,Q1功率MOSFET,电阻R1和R2串联构成外部对地分压网络;功能模块M1根据DIM信号波形控制其内部入地压控电流源Is和内部入地压控电流源Io;Q1功率MOSFET的栅极受电阻Rc和功能模块M1控制;功能模块M1的内部入地压控电流源Io两端电压经内部分压网络输出FB信号电压内部反馈到功能模块M1。本发明能克服现有线性可控硅调光方案所存在的可控硅调光器的兼容性、高功率因数要求下效率低、输出有频闪这3个问题。

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