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专利号	2017108584993	专利名称	一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	H01L21/34,H01L29/786
申请人		申请地址	浙江省杭州市江干区学源街258号
发明人		申请日期	2017-09-21
下证状态	已下证	更新时间	2026-08-19 15:08:06
专利摘要	本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。其中源电极设置在衬底上，金属氧化物沟道层设置在源电极上，漏电极设置在金属氧化物沟道层上，栅电极和栅介质层是通过原位氧化形成的，且栅电极包埋在栅介质层中，栅介质层包埋在金属氧化物沟道层中；所述的一种金属氧化物薄膜晶体管具有不少于2个栅介质层，且栅介质层与栅介质层之间相互隔开，形成载流子由下至上的多导电沟道。本发明提供的金属氧化物薄膜晶体管一方面可突破传统工艺对尺寸的限制，同时由于多沟道的并联作用，可实现低工作电压下的高输出电流。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
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卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件