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半导体纳米材料电极的制备及应用

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  • 201910196980X

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专利号 201910196980X 专利名称 半导体纳米材料电极的制备及应用
专利类型 发明专利 国际分类
申请人 皖西学院 申请地址 安徽省六安市云露桥西月亮岛
发明人 代盼盼,刘晨 申请日期 2019-03-15
下证状态 已下证 更新时间 2026-09-03 17:50:49
专利摘要 本发明公开了半导体纳米材料电极的制备及应用,1、方法步骤如下:S11:TGA稳定的CdS NCs的制备:将CdCl2溶液和TGA加入容器中,在氮氛搅拌20‑40min,同时用NaOH溶液调节混合液的pH至7‑13,最后加入Na2S溶液,在氮氛下105‑115℃加热回流3‑5h;S12:CdS NCs/TiO2 NTs电极的制备;S13:CdS NCs/TiO2 NTs电极的活化:将所述S2制备的CdS NCs/TiO2 NTs电极浸泡在活化液中,35‑39℃轻微震荡14‑18h,活化后用超纯水进行洗涤,即得到半导体纳米材料电极;本发明制得的CdS NCs/TiO2 NTs电极可作为ECL探针用于检测H2O2浓度,且该探针的线性范围较宽为50nM到500μM,且重现性和稳定性良好。

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企业组织机构代码证
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卖方 企业营业执照
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身份证
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