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专利号	2017110570202	专利名称	制造双极互补金属氧化半导体器件的方法及硅基多层结构
专利类型	发明专利	国际分类	H01L21/8249,H01L27/06,H01L29/165
申请人		申请地址	重庆市南岸区南山街道崇文路2号
发明人		申请日期	2017-10-27
下证状态	已下证	更新时间	2026-09-03 17:50:49
专利摘要	本发明公开了制造双极互补金属氧化半导体器件的硅基多层结构，所述硅基多层结构由下至上依次包括低掺杂单晶硅层、第一驰豫Si1‑yGey层、Si1‑xGex层、第二驰豫Si1‑yGey层、应变Si1‑rGer层及应变硅层，r、x及y为自然数，0<r<1，0<y<r，0<x<1，其中所述应变Si1‑rGer层中r由上至下逐渐减小。此结构可以使金属氧化物半导体场效应晶体管和异质结双极晶体管同时达到高性能，并与现有的Si加工工艺完全兼容，在现有的工艺条件下，由此层结构构成的双极互补金属氧化半导体器件很容易实现。

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