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低热膨胀系数且谐振频率温度系数可调的低介电常数微波介质陶瓷材料、制备方法、应用

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专利号 2024102047010 专利名称 低热膨胀系数且谐振频率温度系数可调的低介电常数微波介质陶瓷材料、制备方法、应用
专利类型 发明专利 国际分类 C04B 35/48 (2006.01),C04B 35/622 (2006.01),C04B 35/638 (2006.01)
申请人 杭州电子科技大学 申请地址 浙江省杭州市钱塘区白杨街道2号大街1158号
发明人 毛敏敏,边一轩,倪涛,宋开新 申请日期 2024-02-25
下证状态 已下证 更新时间 2026-09-24 11:32:08
专利摘要 本发明属于无线通讯与电子陶瓷材料技术领域,涉及一种具有低热膨胀系数且谐振频率温度系数可调的低介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用。所述具有低热膨胀系数且谐振频率温度系数可调的低介电常数微波介质陶瓷材料,化学式为ZrSiO<subgt;4</subgt;·xTiO<subgt;2</subgt;,其中0wt%<x≤7wt%。所述的微波介质陶瓷材料的制备方法,包括如下步骤:步骤(1)以ZrSiO<subgt;4</subgt;和TiO<subgt;2</subgt;为原料,所述原料纯度均大于99%,按照目标化学式ZrSiO<subgt;4</subgt;·xTiO<subgt;2</subgt;中各元素的比例将所述原料进行称取,其中,0wt%<x≤7wt%;将称取的原料依次进行混合、球磨和烘干,得到粉料;步骤(2)将步骤(1)得到的所述粉料进行造粒、过筛和成型,得到生坯;步骤(3)将步骤(2)得到的生坯在1350~1500℃烧结,得到陶瓷。

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