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专利号	2018106899620	专利名称	具有温差发电机构的III-VHEMT器件的制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	H01L21/335(2006.01),H01L29/778(2006.01),H01L35/34(2006.01),H01L35/32(2006.01)
申请人	杭州电子科技大学	申请地址	310018浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
发明人	董志华	申请日期	2018-06-28
下证状态	已下证	更新时间	2026-09-03 13:46:51
专利摘要	本发明公开了一种具有温差发电机构的III‑VHEMT器件的制备方法，现有的GaN器件在工作过程中会产生大量的热，使沟道温度上升，从而使器件的导通电阻增大，使器件的输出电流下降，造成能源浪费的问题。由于器件的能量密度高，所以沟道过热，现有的器件采用的解决策略是将这些热量用散热器发散掉。而本发明在器件中引入了温差发电机构，回收了现有器件沟道中被浪费的能量，提高了器件的效率，减小了能量的损失，具有节约能源的优势。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
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卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件