欢迎来到中细软旗下技术转移平台

服务热线：400-9696-518

节能环保新能源新材料高端制造生物产业数字创意

免费询价在线咨询

专利号	2021113177391	专利名称	一种高温高压下高铬和高含水的钴橄榄石单晶的制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	C30B29/34(2006.01),C30B1/12(2006.01)
申请人	中国科学院地球化学研究所	申请地址	550081 贵州省贵阳市观山湖区林城西路99号
发明人	代立东	申请日期	2021-11-09
下证状态	已下证	更新时间	2026-09-16 17:52:00
专利摘要	本发明公开了一种高温高压下高铬和高含水的钴橄榄石单晶的制备方法，以固态的六水合硝酸钴（II）、液态的铬酸叔丁酯、液态的正硅酸乙酯、固态的天然滑石粉末、固态的氢氧化钴粉末和无水乙醇作为起始原料先制备出钴橄榄石圆柱样品，以滑石和氢氧化钴作为水源制备出两水源片，将两水源片分别放置在圆柱样品两端，将样品和水源片放入金钯合金样品管内进行高温高压反应得到高铬和高含水的钴橄榄石单晶；解决了现有技术制备得到的纯钴橄榄石均是不含水的，并且产物纯钴橄榄石的颗粒粒度比较小，不能满足各式高温高压实验室模拟的科学研究需求，尤其是高压下单晶矿物晶格优选方位和晶轴各向异性研究等技术问题。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
买方	企业营业执照企业组织机构代码证	身份证
卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件