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一种高电位疏水性多肽单层膜及其制备方法与应用

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专利号 202010753465X 专利名称 一种高电位疏水性多肽单层膜及其制备方法与应用
专利类型 发明专利 国际分类
申请人 齐鲁工业大学 申请地址
发明人 许静 申请日期 2020-07-30
下证状态 已下证 更新时间 2026-08-21 09:58:01
专利摘要 本发明提供一种具有表面高电位且疏水性的多肽单层膜及其制备与应用,所述多肽是由分子量为(1.48±0.2)×105g/mol的多肽分子构成的,单层膜的厚度为在17.3~18.5nm,膜表面的伯氨基暴露量为11~11.8%,多肽单层膜的Zeta电位为‑3~‑2mV;所述膜的接触角为84±1°。该多肽单层膜表面具有微纳结构使得其具有一定的疏水性能,有利于生物仿生皮肤表面防水。且该多肽单层膜表面具有较高的电位,能够提高生物相容性、血液相容性和细胞的粘附、增殖和分化能力。

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