欢迎来到中细软旗下技术转移平台

服务热线：400-9696-518

节能环保新能源新材料高端制造生物产业数字创意

免费询价在线咨询

专利号	2016111227910	专利名称	一种多孔纳米二硫化三镍薄膜电极的制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	H01G11/86,H01G11/24,H01G11/30
申请人		申请地址	湖北省宜昌市大学路8号
发明人		申请日期	2016-12-08
下证状态	已下证	更新时间	2026-08-19 15:08:06
专利摘要	本发明公开了一种直接生长在泡沫镍基底上的二硫化三镍薄膜电极及其制备方法，以泡沫镍为基底和镍源，以硫脲作为硫化剂，以乙二醇作为溶剂，通过简单的溶剂热法获得直接生长在泡沫镍表面的二硫化三镍薄膜电极。该制备方法具有工艺简单、成本低等优点，适合大规模工业化生产。本发明还公开了所述二硫化三镍电极的应用，所述二硫化三镍薄膜电极呈现多孔纳米结构，有利于材料与电解质充分接触；二硫化三镍以泡沫镍作为镍源生长，与基底结合非常牢固，有利于电荷的快速传递，因此得到的二硫化三镍具有很好的倍率性能和优异的循环稳定性，是理想的超级电容器电极材料。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
买方	企业营业执照企业组织机构代码证	身份证
卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件