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一种尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜及其制备方法

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专利号 2016101882963 专利名称 一种尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜及其制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 H01F41/22,H01F41/24,H01F10/20
申请人 陕西科技大学 申请地址 陕西省西安市未央区大学园1号
发明人 谈国强 申请日期 2016-03-29
下证状态 已下证 更新时间 2026-07-13 17:46:07
专利摘要 本发明提供了一种尖晶石型四方相CuFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub>铁磁性薄膜及其制备方法,将硝酸铜和硝酸铁按摩尔比为1:2溶于乙二醇甲醚和醋酸酐中,搅拌得到均匀的CuFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub>前驱液,用旋涂法和逐层退火的工艺在基片上制备出致密度高、晶粒尺寸均匀的尖晶石型四方相CuFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub>铁磁性薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺,设备要求简单,适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜,且化学组分精确可控。本发明制得的尖晶石型四方相CuFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub>铁磁性薄膜的饱和磁化强度M<sub>s</sub>=110emu/cm<sup>3</sup>,剩余磁化强度M<sub>r</sub>=71emu/cm<sup>3</sup>,矫顽H<sub>c</sub>=810Oe。

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身份证
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