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一种n‑CdS<sub>x</sub>Se<sub>1‑x</sub>薄膜/石墨烯肖特基结太阳能电池

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专利号 2015103384455 专利名称 一种n‑CdS<sub>x</sub>Se<sub>1‑x</sub>薄膜/石墨烯肖特基结太阳能电池
专利类型 发明专利 国际分类 H01L31/07(2012.01),H01L31/0296(2006.01)
申请人 常熟理工学院 申请地址 215500江苏省苏州市常熟市南三环路99号
发明人 张磊 申请日期 2015-06-18
下证状态 未知 更新时间 2025-05-27 09:43:57
专利摘要 本发明公开了一种n‑CdS<sub>x</sub>Se<sub>1‑x</sub>薄膜/石墨烯肖特基结太阳能电池,包括依次叠置的衬底、背电极、半导体薄膜层、绝缘层、前电极和石墨烯层,所述绝缘层和前电极设有通孔,所述石墨烯层通过所述通孔与半导体薄膜层表面接触形成肖特基结,所述半导体薄膜层为n型CdS<sub>x</sub>Se<sub>1‑x</sub>半导体薄膜,其中0&lt;x&lt;1。该太阳能电池通过使用CdS<sub>x</sub>Se<sub>1‑x</sub>半导体薄膜与石墨烯形成肖特基结结构的太阳能电池器件,具有制备方法简单、成本低、对入射光吸收充分、发电效率高、电极不易导通的优点。

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