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平板倒装焊GaN基LED芯片结构
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发明专利
专利类型 -
已下证
专利状态 -
2010105220762
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2010105220762 | 专利名称 | 平板倒装焊GaN基LED芯片结构 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H01L33/62(2010.01),H01L33/44(2010.01),H01L33/64(2010.01) |
| 申请人 | 申请地址 | 250101山东省济南市高新区天辰大街1835号 | |
| 发明人 | 沈燕 | 申请日期 | 2010-10-28 |
| 下证状态 | 已下证 | 更新时间 | 2026-09-28 18:01:22 |
| 专利摘要 | 本发明提出了一种平板倒装焊GaN基LED芯片结构，包括衬底，在衬底的下方自上至下依次设有N型GaN层、量子阱QW有源区、P型GaN层、电流扩展层和光反射层；光反射层上刻蚀有至N型GaN层的台阶面，在该台阶面的N型GaN层上制作有N电极，在光反射层上制作有P电极，N电极与P电极的外端处于同一水平面；在P电极焊盘和N电极焊盘所在面的除P电极焊盘和N电极焊盘以外的其它区域上镀有一层透明绝缘介质膜，P电极焊点外端制作有P焊板，N电极焊点外端制作有N焊板，P焊板和N焊板共晶或合金焊接到导热Si或者SiC衬底的P电极区和N电极区上。本发明在PN焊盘外区域涂绝缘介质膜，防止了PN连通短路，将有限N区电极导热平板搭至P区台面上。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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