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专利号	2018101951356	专利名称	一种二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极的制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	C25B 11/06 (2006.01);C25B 1/04 (2006.01);C01G 51/00 (2006.01);C01G 39/06 (2006.01);B82Y 40/00 (2011.01);B82Y 30/00 (2011.01)
申请人	三峡大学	申请地址	湖北省宜昌市大学路8号
发明人	黄妞	申请日期	2018-03-09
下证状态	已下证	更新时间	2026-07-26 04:41:16
专利摘要	本发明提供一种二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极的制备方法，将生长有四氧化三钴阵列的基底，于Ar+S气氛中或N2+S气氛中第一次硫化，获得硫化钴纳米针阵列电极；将氯化钼溶于挥发非水溶剂，并涂布到硫化钴纳米针阵列电极表面，干燥待用；再将步样品放在Ar+S气氛中或N2+S气氛中，经第二次硫化，随炉冷却取出即可得到二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
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卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件