发明专利
专利类型未知
专利状态2021115198299
专利号专利号 | 2021115198299 | 专利名称 | 一种单层MXene材料的制备方法 |
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专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | C01B32/90(2017.01),C01B32/914(2017.01),C01B32/921(2017.01),C01B21/083(2006.01),C01B21/082(2006.01) |
申请人 | 申请地址 | 050018 河北省石家庄市裕华区裕翔街26号 | |
发明人 | 申请日期 | 2021-12-13 | |
下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-14 07:09:10 |
专利摘要 | 本发明涉及二维层状材料技术领域,具体公开一种单层MXene材料的制备方法。所述制备方法具体为:将多层MXene与还原性溶剂混合,于90℃~180℃的条件下反应6h~24h,洗涤,超声,离心,干燥,得到所述单层MXene材料。本申请通过采用还原性溶剂为插层剂,于90℃~180℃的条件下进行溶剂热插层反应来剥离多层Mxene材料,方法简单可行、易于大量制备尺寸均匀、分散性好的单层Mxene纳米材料,且所采用的还原性溶剂无毒无害,不会破坏单层Mxene材料的物理结构和电学结构。 |
买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
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企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 |
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