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一种超低介电损耗的KNN基储能微晶玻璃材料及制备方法

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专利号 2017100108560 专利名称 一种超低介电损耗的KNN基储能微晶玻璃材料及制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 C03C10/02,C03C4/16,C03C6/04
申请人 陕西科技大学 申请地址 陕西省西安市未央区大学园1号
发明人 蒲永平 申请日期 2017-01-06
下证状态 未知 更新时间 2025-01-14 07:03:29
专利摘要 本发明涉及一种超低介电损耗的KNN基储能微晶玻璃材料及制备方法,该微晶玻璃材料是由玻璃相和晶相经混合、熔融、冷却成型、退火及晶化热处理制得的;其中,按摩尔百分数计,玻璃相占20~50%,余量为晶相;晶相是由摩尔比为(3‑x):(3‑x):6:2x的K2CO3、Na2CO3、Nb2O5和BaCO3组成的,0<x≤2.5。本发明制得的KNN基储能微晶玻璃材料介电损耗极低;本发明引入BaO,不仅对铌酸钾钠系统调节晶相组成,并且对于析晶过程有一定的促进作用,碱土金属离子,加速析晶,又能引起钉扎效应,削弱界面极化对击穿恶化的不利影响,最终得到高介电常数微晶玻璃材料。

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