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一种Ti3C2Tx掺杂ZnO为阴极修饰层材料的有机太阳能电池及其制备方法

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  • 2019112089593

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专利号 2019112089593 专利名称 一种Ti3C2Tx掺杂ZnO为阴极修饰层材料的有机太阳能电池及其制备方法
专利类型 发明专利 国际分类
申请人 华南理工大学 申请地址
发明人 於黄忠 申请日期 2019-11-30
下证状态 未知 更新时间 2025-01-13 08:00:04
专利摘要 本发明公开了一种Ti3C2Tx掺杂ZnO为阴极修饰层材料的有机太阳能电池及其制备方法。所述有机太阳能电池器件包括阴极基底、阴极修饰层、光敏活性层、阳极修饰层以及阳极。所述阴极修饰层材料由Ti3C2Tx与ZnO掺杂而成,且Ti3C2Tx掺杂质量百分比为1~7%。本发明采用在ZnO中掺杂高电导率、高透光性以及与ITO相匹配功函数的少量二维Ti3C2Tx为阴极修饰层来制备有机太阳能电池器件;首先,Ti3C2Tx具有较高的电导率,可以加快有机太阳能电池的电荷传输效率;其次Ti3C2Tx可有效调控ZnO界面形貌,降低界面电荷复合,最终提升有机太阳能电池的光电转换效率。

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