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专利号	2019102539599	专利名称	一种以In
专利类型	发明专利	国际分类	H01L51/42(2006.01),H01L51/46(2006.01),H01L51/48(2006.01)
申请人	华南理工大学	申请地址	510640广东省广州市天河区五山路381号
发明人	於黄忠	申请日期	2019-03-30
下证状态	未知	更新时间	2025-01-13 08:00:02
专利摘要	本发明公开了一种以In2Se3掺杂PEDOT:PSS为空穴传输层的有机太阳能电池及其制备方法；该有机太阳能电池包括依次层叠设置的阳极基底、空穴传输层、活性层、电子传输层以及阴极层；所述空穴传输层为In2Se3掺杂PEDOT:PSS。本发明的有机太阳能电池，使用了高电导率、高透光率的In2Se3；首先，In2Se3具有较高的电导率，可以有效的提升PEDOT:PSS的电荷传输效率，降低了对薄膜厚度的敏感性；其次In2Se3透光率较高，能让活性层有效利用入射光；最后，本发明中将In2Se3粉末用去离子水与异丙醇混合配成溶液，不止环境友好，而且使得其能够掺杂在PEDOT:PSS中。

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	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
买方	企业营业执照企业组织机构代码证	身份证
卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件