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专利号	2021102245357	专利名称	一种基于可调谐振腔的量子点单光子源
专利类型	发明专利	国际分类	H01S5/125(2006.01),H01S5/343(2006.01)
申请人		申请地址	310018浙江省杭州市下沙高教园区学源街258号
发明人	金尚忠	申请日期	2021-03-01
下证状态	未知	更新时间	2025-01-13 07:53:40
专利摘要	本发明属于半导体技术领域。本发明公开了一种基于可调谐振腔的量子点单光子源，包括可调谐振腔、用于产生单光子源的量子点层、谐振腔调整装置、用于生长所述可调谐振腔与所述量子点层的衬底及位于所述衬底和可调谐振腔值之间的缓冲层。本发明利用可调谐振腔来提高量子点单光子源的提取效率，量子点单光子源的产生和可调谐振腔是分离的状态，这样一个高品质的可调谐振腔就可以不断的进行谐振频率位置和周期的调节，以达到微腔结构对量子点进行更好的耦合从而提高单光子源的提取效率。与现有技术相比，本发明中单光子源发射和收集效率更高，量子点和谐振腔可以更好地提高耦合效率，此外能够尽可能的减小实际制作过程中的非理想工艺偏差。

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