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专利号	2016109257123	专利名称	一种提高上转换发光纳米晶中Tm3+掺杂浓度的方法
专利类型	发明专利	国际分类	B82Y40/00,C09K11/85,B82Y20/00,C09K11/02
申请人	中国计量大学	申请地址	浙江省杭州市江干区学源街258号材料学院
发明人	雷磊	申请日期	2016-10-24
下证状态	未知	更新时间	2025-01-13 07:53:33
专利摘要	本发明属于无机发光材料领域。一种用于提高上转换发光纳米晶中Tm<sup>3+</sup>掺杂浓度的方法，在制备上述纳米晶的过程中，通过加入氨水调节反应溶液的PH值并使其在9‑10范围内，使得产物中敏化离子Yb<sup>3+</sup>和激活离子Tm<sup>3+</sup>分布在壳层的二维空间中。优点是有利于提高激活离子最佳掺杂浓度，上转换发光纳米晶中Tm<sup>3+</sup>掺杂浓度提高，并且发光强度提高，为获得高效率上转换发光纳米材料提供了一个全新的思路，有望在纳米材料制备和应用领域得到广泛的使用。

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