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VO<sub>2</sub>陶瓷、高响应度的红外弱光探测器及其调控方法
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2021103548107
专利号
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专利信息
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| 专利号 | 2021103548107 | 专利名称 | VO<sub>2</sub>陶瓷、高响应度的红外弱光探测器及其调控方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | C04B35/495(2006.01),C04B35/622(2006.01),G01J1/42(2006.01),H01L31/032(2006.01),H01L31/108(2006.01) |
| 申请人 | 申请地址 | 310018浙江省杭州市下沙高教园区学源街258号 | |
| 发明人 | 杨晓磊 | 申请日期 | 2021-04-01 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-13 07:53:20 |
| 专利摘要 | 本发明公开了一种VO2陶瓷、高响应度的红外弱光探测器及其调控方法。光敏半导体材料VO2陶瓷，采用微米级粒径的VO2粉剂，在保护气氛中400℃烧结制备获得。所述的VO2陶瓷作为光敏半导体，采用金属银制作阴阳电极；探测10mW的980nm红外光时，实现安培级的高光电流，实现不低于10A/W级的高响应度。驱动电压小于临界值时响应度较低；驱动电压高于临界值时，信号光照射下探测器由高阻态变为低阻态，电流大幅增大，获得高响应度；通过减小驱动电压至临界值之下，使探测器从低阻态恢复至高阻态；所述临界值由实验确定。本发明在进行红外探测时可实现高响应度，可在红外弱光探测、低亮度图像采集等方面获得应用。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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