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Mn2+掺杂CdS纳米晶及其膜、制备方法和应用

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专利信息

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专利号 2021106689111 专利名称 Mn2+掺杂CdS纳米晶及其膜、制备方法和应用
专利类型 发明专利 国际分类 C01G11/02(2006.01),G01N21/76(2006.01)
申请人 申请地址 210000 江苏省南京市江宁区弘景大道3601号
发明人 申请日期 2021-06-16
下证状态 未知 更新时间 2025-01-13 07:52:23
专利摘要 本申请公开了Mn2+掺杂CdS纳米晶及其膜、制备方法和应用。该制备方法为:取CdCl2·2.5H2O和Mn(CH3COO)2·4H2O,溶于DMSO,充分搅拌溶解后加入MPA;反应混合物加热后,滴加Na2S水溶液,滴加结束后进行氮封回流反应,反应产物用丙酮沉淀后,用甲醇洗涤,再用丙酮洗涤;获得Mn2+掺杂CdS纳米晶。本申请证实掺杂的CdS纳米晶与未掺杂的CdS纳米晶薄膜相比,Mn2+的掺杂导致阳极ECL强度提高了6倍。该阳极ECL用于检测模型分析物多巴胺,线性范围为5nM~1μM,在S/N=3时,检出限为1nM。本申请更广泛地利用现有半导体作为阳极ECL发射器提供了一种简易的策略。羧基修饰的Mn2+掺杂CdS纳米晶膜在生物传感器设计中显示出巨大的潜力。

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企业组织机构代码证
身份证
卖方 企业营业执照
专利证书原件
身份证
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