发明专利
专利类型未知
专利状态2019102231323
专利号专利号 | 2019102231323 | 专利名称 | 二硫化钼、钴修饰的二硫化钼、负载Pd的纳米片及其合成方法和应用 |
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专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | C01G39/06,B22F1/02 |
申请人 | 南京晓庄学院 | 申请地址 | 江苏省南京市江宁区弘景大道3601号 |
发明人 | 陈昌云 | 申请日期 | 2019-03-22 |
下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-13 07:52:05 |
专利摘要 | 本发明属于材料合成领域,具体涉及纳米材料研究合成领域,更为具体的说是涉及二硫化钼、钴修饰的二硫化钼、负载Pd的纳米片及其合成方法和应用。本发明公开的MoS2、Co‑MoS2及Co‑MoS2负载Pd纳米片均为超薄二维片状结构,具有优异的HER性能,能够高效催化燃料电池中的HER。通过对合成方法的改进,提供了一种可控的合成方法,并通过该方法制备得到相应的二硫化钼,进一步合成钴修饰的二硫化钼,并且进一步合成负载Pd的钴修饰的二硫化钼纳米片,该纳米片具有优异的HER性能,能够高效催化燃料电池中的HER。 |
买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
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企业 | 个人 |
专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 |
专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 |
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买方 |
企业营业执照 企业组织机构代码证 |
身份证 | ||
卖方 |
企业营业执照 专利证书原件 |
身份证 专利证书原件 |
专利状态:已下证
专利类型:发明专利
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