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二硫化钼、钴修饰的二硫化钼、负载Pd的纳米片及其合成方法和应用

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专利号 2019102231323 专利名称 二硫化钼、钴修饰的二硫化钼、负载Pd的纳米片及其合成方法和应用
专利类型 发明专利 国际分类 C01G39/06,B22F1/02
申请人 南京晓庄学院 申请地址 江苏省南京市江宁区弘景大道3601号
发明人 陈昌云 申请日期 2019-03-22
下证状态 未知 更新时间 2025-01-13 07:52:05
专利摘要 本发明属于材料合成领域,具体涉及纳米材料研究合成领域,更为具体的说是涉及二硫化钼、钴修饰的二硫化钼、负载Pd的纳米片及其合成方法和应用。本发明公开的MoS2、Co‑MoS2及Co‑MoS2负载Pd纳米片均为超薄二维片状结构,具有优异的HER性能,能够高效催化燃料电池中的HER。通过对合成方法的改进,提供了一种可控的合成方法,并通过该方法制备得到相应的二硫化钼,进一步合成钴修饰的二硫化钼,并且进一步合成负载Pd的钴修饰的二硫化钼纳米片,该纳米片具有优异的HER性能,能够高效催化燃料电池中的HER。

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