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Cu2S纳米晶可控合成方法

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专利号 2018104429601 专利名称 Cu2S纳米晶可控合成方法
专利类型 发明专利 国际分类 B82Y40/00,C01G3/12
申请人 南京晓庄学院 申请地址 江苏省南京市江宁区弘景大道3601号
发明人 陈昌云 申请日期 2018-05-10
下证状态 未知 更新时间 2025-01-13 07:51:57
专利摘要 本发明涉及纳米晶的合成领域,特别是涉及Cu2S纳米晶的可控合成方法,该方法以CuNWs为前驱体,以硫醇为硫源,加入或者不加入硼烷叔丁胺,通过控制反应温度和反应进程从而获得不同晶相的Cu2S纳米晶。采用本发明所公开的技术方案后,可以可控地合成具有特定晶相的硫化铜(Ⅰ),包括但不限于立方相、六方相、单斜相晶相;从而可以为硫化铜作为半导体材料特别是可再生氢氧燃料电池材料提供基础支持。同时,本发明公开的方法无需昂贵的溶剂和苛刻的反应条件,生产成本更低,易于工业化推广。

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