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一种高介电常数低介电损耗钛酸铜钙陶瓷的烧结方法

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专利号 2020114794261 专利名称 一种高介电常数低介电损耗钛酸铜钙陶瓷的烧结方法
专利类型 发明专利 国际分类 C04B35/64(2006.01),C04B35/462(2006.01)
申请人 申请地址 330000江西省南昌市瑶湖高校园区
发明人 李旺 申请日期 2020-12-15
下证状态 未知 更新时间 2025-01-13 07:45:38
专利摘要 本发明公开了一种钛酸铜钙(CaCu3Ti4O12,简称CCTO)陶瓷的制备方法,用以解决现有技术制备CCTO陶瓷时介电损耗较高的技术问题。本发明的技术方案是:所述CCTO陶瓷坯体首先在烧结炉中经过升温阶段1、保温阶段1、升温阶段2、保温阶段2后得到高温陶瓷烧结体,然后所述高温陶瓷烧结体再经过富含氧气的混合气体气氛下的气相淬火冷却阶段后而最终完成CCTO陶瓷的烧成。本发明的技术方案操作工艺简单,工艺窗口宽,所得CCTO陶瓷的介电损耗低、介电常数的温度稳定性高。同时,本发明技术方案中CCTO坯体在烧成陶瓷过程中的降温冷却时间明显减小,显著缩短了CCTO陶瓷的烧成时间。

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