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一种荧光猝灭铜离子MOF分子传感器的制备方法

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专利号 2020110643578 专利名称 一种荧光猝灭铜离子MOF分子传感器的制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 G01N21/64(2006.01),C09K11/06(2006.01),C08G83/00(2006.01)
申请人 申请地址 223300 江苏省淮安市淮阴区长江西路111号
发明人 申请日期 2020-09-30
下证状态 未知 更新时间 2025-01-13 07:41:43
专利摘要 本发明公开了一种荧光猝灭铜离子MOF分子传感器的制备方法,包括以下步骤:(1)合成有机模板H3L:1‑[(2′‑carboxybiphenyl‑4‑yl)methyl]‑2‑propylimidazole‑4,5‑dicarboxylicacid;(2)将含有1.43g Ba(CH3COO)2、0.16g H3L和20mL去离子水的混合物在50℃下超声1h后密封在50mL聚四氟乙烯内衬的反应釜中,于140℃条件加热72h;(3)反应结束后,降温冷却至室温,得到无色块状透明晶体,即为羧酸钡[Ba3(L)2(H2O)4]n MOF分子荧光传感器。本发明的有益效果是:1、制备方法简单易行,原子经济高,节能环保;2、制得物对溶液中存在的铜离子(Cu2+)具有高灵敏的荧光猝灭效应。

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