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专利号	2020109978566	专利名称	一种光栅结构的硅基全硅表面吸收探测器及其制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	H01L31/0232(2014.01),H01L31/0352(2006.01),H01L31/105(2006.01),H01L31/18(2006.01)
申请人	三明学院	申请地址	365000 福建省三明市三元区荆东路25号
发明人	崔积适	申请日期	2020-09-21
下证状态	未知	更新时间	2025-01-11 09:24:32
专利摘要	本发明提供一种光栅结构的硅基全硅表面吸收探测器，包括：衬底层，所述衬底层是SOI；硅光波导层，形成于所述衬底层上；光栅层，形成与所述衬底层上，并与所述硅光波导层耦合连接；其中，所述光栅层包括本征区以及位于所述本征区两侧的P型区和N型区；电极，包括阳极和阴极；其中，所述阳极设置于所述N型区，所述阴极设置于所述P型区。本发明通过表面光栅结构较直波导结构增加了表面区域，从而有效增加了吸收面积，进而提高了响应度；光栅结构形成谐振腔，使光能量较好的限制在光栅结构内部，被多次吸收。

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