欢迎来到中细软旗下技术转移平台

服务热线：400-9696-518

节能环保新能源新材料高端制造生物产业数字创意

免费询价在线咨询

专利号	2012104041162	专利名称	三维有序大孔硅或锗薄膜的制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	C25D3/54,C25D1/10,C25D9/04,C25D5/00,H01L21/208,C25D1/08
申请人	哈尔滨工业大学	申请地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
发明人	李垚	申请日期	2012-10-22
下证状态	未知	更新时间	2025-01-11 09:23:20
专利摘要	三维有序大孔硅或锗薄膜的制备方法，涉及一种大孔薄膜的制备方法。是要解决现有的制备三维有序大孔硅或者锗薄膜的方法所用设备复杂，成本高，所用原料有毒的问题。方法：一、将铜箔用盐酸浸泡，无水乙醇擦拭，将铜箔固定在玻璃基片上，处理；三、使用三电极的电解池，用恒电势法进行电沉积硅或锗；四、取出电解池中的电解液，干燥，滴加偶联剂三乙基氯硅烷浸泡；五、拆卸电解池，滴加四氢呋喃，清洗，干燥，即得到三维有序大孔硅或锗薄膜。本发明的方法无需复杂设备，操作简便，室温即可实现，能耗低。用于锂离子电池的负极材料领域。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
买方	企业营业执照企业组织机构代码证	身份证
卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件