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PXIe接口Nand Flash数据流盘存取加速方法

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  • 2013101128309

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专利信息

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专利号 2013101128309 专利名称 PXIe接口Nand Flash数据流盘存取加速方法
专利类型 发明专利 国际分类 G06F3/06
申请人 申请地址 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
发明人 申请日期 2013-04-02
下证状态 未知 更新时间 2025-01-11 09:23:08
专利摘要 PXIe接口Nand?Flash数据流盘存取加速方法,本发明具体涉及PXIe接口Nand?Flash数据流盘存取加速方法。它为了解决高速数据流盘对I/O速率要求很高,无法最大限度提高Nand?Flash阵列的存取速度,Nand?Flash存取速率与PXI?Express高速接口速率不匹配的问题。该方法为:采用三级加速编程的方式对Nand?Flash编程,在每个最小控制单元的编程序列中加入一级预编程操作,使得每个最小控制单元的第n+1次编程操作都能够滞后于第n次编程操作;从4片Nand?Flash芯片中读取数据的过程,实现数据读取的流水线加速。本发明适用于测试领域。

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身份证
卖方 企业营业执照
专利证书原件
身份证
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