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一种SRAM-based FPGA退化测试系统

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专利信息

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专利号 2013103515734 专利名称 一种SRAM-based FPGA退化测试系统
专利类型 发明专利 国际分类 G01R31/28
申请人 哈尔滨工业大学 申请地址 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
发明人 杨智明 申请日期 2013-08-13
下证状态 未知 更新时间 2025-01-11 09:22:51
专利摘要 一种SRAM-based?FPGA退化测试系统,属于电力电子技术领域。为了解决现有用于检测NBTI退化效应使FPGA产生延时量的测量系统测量精度低且进一步解决了无法同时测量多种应力的问题,本发明包括示波器、控制器、程控双路电源、辅助控制器FPGA、恒温箱、A/D转换器、被测FPGA和晶振;控制器控制辅助控制器FPGA,且辅助控制器FPGA输出的信号应力、辅助控制器FPGA通过程控双路电源输出的电压应力和通过恒温箱输出的温度应力同时施加给被测FPGA,示波器用于接收被测FPGA输出的信号。本发明主要应用在检测NBTI退化效应领域。

交易流程

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卖方 企业营业执照
专利证书原件
身份证
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服务保障

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