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制备室温检测、大电流、快速响应的非贵金属掺杂WO<sub>3</sub>基氢敏传感器材料的方法

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  • 2014100055964

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专利号 2014100055964 专利名称 制备室温检测、大电流、快速响应的非贵金属掺杂WO<sub>3</sub>基氢敏传感器材料的方法
专利类型 发明专利 国际分类 G01N27/00
申请人 哈尔滨工业大学 申请地址 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
发明人 刘淑娟 申请日期 2014-01-07
下证状态 未知 更新时间 2025-01-11 09:22:00
专利摘要 制备室温检测、大电流、快速响应的非贵金属掺杂WO<sub>3</sub>基氢敏传感器材料的方法,它涉及一种WO<sub>3</sub>基氢气敏感薄膜材料的方法。本发明的目的是要解决现有技术制备的WO<sub>3</sub>基半导体氢敏材料无法实现室温下具有高灵敏度、快速响应且响应电流微小的问题。方法1:一、制备嵌段共聚物有机溶液;二、旋涂;三、配置前驱体溶液;四、浸泡;五、固化;六、煅烧,得到非贵金属掺杂WO<sub>3</sub>基氢敏传感器材料;方法2:一、制备嵌段共聚物有机溶液;二、旋涂;三、熏蒸处理;四、配置前驱体溶液;五、浸泡;六、固化;七、煅烧,得到非贵金属掺杂WO<sub>3</sub>基氢敏传感器材料。本发明主要用于制备室温检测、大电流、快速响应的非贵金属掺杂WO<sub>3</sub>基氢敏传感器材料。

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身份证
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