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三维有序大孔SnO<sub>2</sub>薄膜的制备方法

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  • 2014101984510

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专利号 2014101984510 专利名称 三维有序大孔SnO<sub>2</sub>薄膜的制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 H01M4/48,C25D9/04
申请人 申请地址 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
发明人 申请日期 2014-05-12
下证状态 未知 更新时间 2025-01-11 09:21:48
专利摘要 三维有序大孔SnO<sub>2</sub>薄膜的制备方法,它涉及一种有序大孔薄膜的制备方法。本发明为了解决现有的制备三维有序大孔SnO<sub>2</sub>薄膜的方法中有序微结构不容易精确控制的技术问题。本方法如下:制备聚苯乙烯胶体晶体模板,使用直流电源,以锡片作为对比电极,以生长聚苯乙烯胶体晶体模板的镍片作为工作电极,沉积,即得到三维有序大孔SnO<sub>2</sub>薄膜。本发明方法得到的是由纳米颗粒聚集的薄膜,三维有序大孔结构具有的连通大孔可以使锂电池中电解液快速渗入,能够使得电解液快速扩散,与活性物质进行反应。几纳米到几十纳米的孔壁能够使得锂离子的固相扩散程减小,可降低活性物质表面发生局部极化的现象。本发明属于锂离子电池的负极材料的制备领域。

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