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一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法

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  • 2014102556500

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专利号 2014102556500 专利名称 一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 C25D11/26
申请人 申请地址 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
发明人 申请日期 2014-06-10
下证状态 未知 更新时间 2025-01-11 09:21:31
专利摘要 一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法,它涉及一种钛合金TC4表面陶瓷膜层的制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的钛合金热控涂层存在太阳吸收率高,发射率低,成本高,对复杂形状的表面难获得均匀的涂层,工艺复杂和涂层与基体结合度弱的问题。制备方法:一、钛合金TC4前处理;二、微弧氧化。本发明制备的涂层粗糙度为4.056μm~13.66μm,涂层厚度达到68.1μm~200μm,且厚度可调,由于是原位生长,故具有结合力好,并且在强酸性的锆酸盐体系的工艺条件下膜层的发射率大于0.96,吸收率小于0.32。本发明可获得一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法。

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企业组织机构代码证
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