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一种利用微弧氧化在镁合金表面制备低太阳吸收率高发射率涂层的方法
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2014108220353
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2014108220353 | 专利名称 | 一种利用微弧氧化在镁合金表面制备低太阳吸收率高发射率涂层的方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | C25D11/30 |
| 申请人 | 申请地址 | 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 | |
| 发明人 | 申请日期 | 2014-12-25 | |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-11 09:21:05 |
| 专利摘要 | 一种利用微弧氧化在镁合金表面制备低太阳吸收率高发射率涂层的方法，它涉及一种镁合金功能化热控涂层的制备方法。本发明的目的是要解决现有应用于航天器的铝合金材料重量大，镁合金热控涂层吸收率高和镁合金基体与热控涂层高结合力低的问题。制备方法：首先对镁合金进行处理，然后采用脉冲微弧氧化电源进行微弧氧化，即完成利用微弧氧化在镁合金表面制备低太阳吸收率高发射率涂层的方法。本发明在镁合金表面制备的低太阳吸收率高发射率涂层厚度达到30μm～120μm，太阳吸收率为0.2～0.4，发射率为0.85～0.95，粗糙度为1μm～10μm。本发明可获得一种利用微弧氧化在镁合金表面制备低太阳吸收率高发射率涂层的方法。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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