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具有单斜物相的铌酸钠钾铁电纳米结构的合成方法

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  • 201510253196X

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专利号 201510253196X 专利名称 具有单斜物相的铌酸钠钾铁电纳米结构的合成方法
专利类型 发明专利 国际分类 C01G33/00,B82Y30/00
申请人 哈尔滨工业大学 申请地址 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
发明人 王文 申请日期 2015-05-18
下证状态 未知 更新时间 2025-01-11 09:20:30
专利摘要 具有单斜物相的铌酸钠钾铁电纳米结构的合成方法,本发明属于一种压电?铁电纳米材料,具体涉及一种纳米结构的合成方法。本发明是为了解决现有的压电材料在制备过程中氧化铅挥发使产品一致性差,成本高,而且铅的毒性大的技术问题,并成功制备了具有单斜物相的铌酸钠钾纳米结构。本方法如下:将乙酸钠与乙酸钾按加入乙二醇中,加入乙醇铌溶液,干燥,得干凝胶前驱体,将干凝胶前驱体加入到含有氢氧化钠和氢氧化钾的水溶液中,升温并保温,然后冷却到室温,取出铌酸钠钾粉末,离心洗涤数次至pH=7,然后干燥,即得。本发明采用溶胶凝胶法制备的铌酸钠钾溶胶,可以精确控制其中钠离子和钾离子与铌离子的比例;利用水热反应,低温晶化得到物相纯净的铌酸钠钾纳米结构。本发明属于纳米结构的制备领域。

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身份证
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