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专利号	2015104511049	专利名称	一种利用气相扩渗法在氧化钛纳米管上负载碳的方法
专利类型	发明专利	国际分类	H01G11/86,H01G11/46,H01G11/24,H01G11/32
申请人		申请地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
发明人		申请日期	2015-07-28
下证状态	未知	更新时间	2025-01-11 09:20:16
专利摘要	一种利用气相扩渗法在氧化钛纳米管上负载碳的方法，本发明涉及一种复合材料的方法。本发明的目的是要解决氧化钛纳米管进行碳掺杂，存在掺杂不均匀，浓度不易控制和材料的总体性能波动较大的问题，并且提高氧化钛纳米管的电化学性能。方法：一、阳极氧化法制备二氧化钛纳米管；二、将处理后的钛片作为阳极，铜片作为阴极，在电压为20V～60V下反应；三、将反应后的钛片进行烘干；四、向实验室滴渗电炉中滴入渗剂，排出空气后的实验室滴渗电炉；五、滴入甲醇，再进行气相扩渗，即完成。本发明可获得一种利用气相扩渗法在氧化钛纳米管上负载碳的方法，并且气相扩渗负载碳后的氧化钛纳米管的导电性提高了三个数量级，比电容提高了20倍。

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