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一种锗酸钙纳米片的制备方法

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专利号 2016103008998 专利名称 一种锗酸钙纳米片的制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 B82Y30/00,B82Y40/00,C01G17/00
申请人 哈尔滨工业大学 申请地址 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
发明人 赵九蓬 申请日期 2016-05-09
下证状态 未知 更新时间 2025-01-11 09:19:00
专利摘要 一种锗酸钙纳米片的制备方法,本发明涉及锗酸钙纳米片的制备方法。本发明要解决目前锗酸钙纳米材料的制备工艺复杂,不可控制,产量少,产物纯度低且无法实现纳米片结构制备的技术问题。方法:一、处理泡沫金属基板;二、制备水热前驱液;三、水热合成锗酸钙纳米片;四、处理锗酸钙纳米片。本发明用水热合成的方法,首次制备出比表面积比纳米线大的纳米片结构,将在纳米光学器件、电子器件、电化学传感器件、晶体管等方面具有很好的应用前景,锗酸钙纳米片结构,填补了国际上锗酸钙纳米片制备的空白,对实现工业化生产有着重要的指导性作用。本发明用于制备一种锗酸钙纳米片。

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