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专利号	201710900796X	专利名称	一种高纯硒化镉多晶材料的气相合成方法
专利类型	发明专利	国际分类	C30B28/14,C30B29/48
申请人		申请地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
发明人		申请日期	2017-09-28
下证状态	未知	更新时间	2025-01-11 09:18:06
专利摘要	一种高纯硒化镉多晶材料的气相合成方法，它涉及一种硒化镉多晶材料的合成方法。本发明的目的是要解决现有硒化镉合成方法存在反应温度高，耗时长，且生产的硒化镉纯度低的问题。气相合成方法：一、称取单质硒和单质镉；二、气相合成：①、反应区加热；②、冷凝区控温；③、单质硒气化；④、单质镉气化；⑤、气相合成，硒化镉多晶以固态形式沉积，未充分反应的气态单质硒与气态单质镉流至冷凝区并沉积，冷却至室温，得到硒化镉多晶粉体。优点：降低了反应温度，缩短合成时间。提高硒化镉多晶粉体纯度，纯度＞99％。本发明主要用于气相合成高纯硒化镉多晶。

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